1 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林 541004
2 中国电子科技集团公司 第三十四研究所, 广西 桂林 541004
3 复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 200433
基于AWSC 2 μm的HBT工艺, 设计了一种用于5G通信N77频段(33～42 GHz)的功率放大器。采用变压器匹配的方式, 显著提高了功率放大器的增益、输出功率和功率附加效率, 解决了放大电路级间匹配较难的问题。仿真和测试结果表明, 在N77工作频段内, 该功率放大器的增益为36～38 dBm, 输出功率1 dB压缩点为37 dBm, 输出功率1 dB压缩点处的功率附加效率为493 %, 输出功率285 dBm处的功率附加效率为165 %、相邻频道泄漏比为-382 dBc。
功率放大器 变压器 power amplifier HBT HBT transformer 5G 5G
1 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林 541004
2 中国电子科技集团公司 第三十四研究所, 广西 桂林 541004
3 复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 200433
基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺, 设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器。采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真, 实现了高线性度; 利用二次谐波终端电容改变电路工作模式, 减少时域电压电流的重叠损耗功率, 提高了功率附加效率。结果表明, 在34 V电源电压、28 V偏置电压时, 在工作频带815~915 MHz范围内, 该功率放大器的增益大于295 dB, 输入回波损耗小于-132 dB; 在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时, 功率附加效率为39%~41%, 第一相邻信道泄漏比ACLR1小于-381 dBc, 第二相邻信道泄漏比ACLR2小于-448 dBc。
功率放大器 模拟预失真 相位补偿 功率附加效率 power amplifier InGaP/GaAs HBT InGaP/GaAs HBT analog pre-distortion phase compensation PAE
College of Electrical and Electronic Engineering，North China Electric Power University, Baoding Hebei 071000, CHN
研究了一种基于软件补偿结合恒流源补偿的改进温度补偿方法，应用单片机、恒流源、数字温度传感器、乘法器等硬件电路，对传统软件补偿进行了优化，补偿效果较传统恒流源补偿有了明显提升，“温漂”整体下降了约13.7 %。在传统的温度补偿方法如热敏元件补偿、恒流源补偿、软件补偿等方式上做了补充，对于霍尔电流传感器精度的提升及实际生产需求的满足有重要意义。
直流电流检测 霍尔传感器 温度补偿 单片机 数字温度传感器 DC current detection Hall sensor temperature compensation single chip microcomputer digital temperature sensor
National Integrated Optoelectronics Laboratory, Jilin University, Changchun 130023, CHN
State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Jilin University Region, Changchun 130023, CHN
1 National Lab. of Integrated Optoelectron., Jinn University, Changchun 130023, CHN
2 Dept.of Light Chem.and Text. Eng., Jilin Institute of Technology, Changchun 130012, CHN
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130023, CHN
